[发明专利]一种离子束轰击制备扫描电子显微镜试样的方法无效
| 申请号： | 200810100875.3 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101236143A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 翟少岩;孟利;庞景芹;冯惠平 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N13/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种离子束轰击制备扫描电子显微镜试样的方法，涉及扫描电子显微镜试样的制备。本方法是在高真空度2×10－3Pa条件下，不断充入氩气，氩气通过离子枪在高压电场作用下电离获得氩离子束流轰击到试样表面，同时样品台自身360度旋转，以保障试样表面获得均匀轰击。样品表面与离子束流之间的夹角通常选择7度至12度范围，离子枪轰击电压选择4千伏至7千伏范围，束流在0.4至0.5毫安范围。本方法不受试样材料电性能的影响，并且在离子束轰击过程中不会给试样带来应力和应变，对材料自身晶体结构无损伤，适合于金属及非金属各类材料的微观形貌分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 轰击 制备 扫描 电子显微镜 试样 方法 | ||
【主权项】：
1、一种离子束轰击制备扫描电子显微镜试样的方法，其特征在于，在高真空度2×10-3Pa条件下，不断充入氩气，氩气通过离子枪在高压电场作用下电离获得氩离子束流轰击到试样表面，同时样品台自身360度旋转，试样表面与离子束流之间的夹角通常选择7度至12度范围，离子枪轰击电压选择4千伏至7千伏范围，束流在0.4至0.5毫安范围。
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