[发明专利]覆晶封装方法有效
| 申请号： | 200810099605.5 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101276766A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 钟智明 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 台湾省高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种覆晶封装方法，包括提供一基板，基板具有一切割道；形成一绝缘层于基板上，绝缘层具有一沟槽，沟槽位于切割道上；将一芯片设置于基板上，芯片的设置位置位于沟槽的一侧且邻近于沟槽，芯片以覆晶接合的方式电性连接于基板；以及，从邻近切割道的芯片的一侧开始形成一底胶于芯片与基板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种覆晶封装方法，包括：(a)提供一基板，具有一切割道；(b)形成一绝缘层于该基板上，该绝缘层具有一沟槽，该沟槽位于该切割道上；(c)将一芯片设置于该基板上，该芯片的设置位置位于该沟槽的一侧且邻近于该沟槽，该芯片以覆晶接合的方式电性连接于该基板；以及(d)从邻近该切割道的该芯片的一侧开始形成一底胶于该芯片与该基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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