[发明专利]半导体结构

摘要

本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。

主权项

1、一种半导体结构，其特征在于，至少包括：一衬底；一电容，位于该衬底上，其中该电容至少包括：一第一材料层，至少包括：一第一电容电极和一第二电容电极，其中该第一电容电极由一含金属材料所形成；以及一金属氧化物半导体组件，至少包括：一栅极电介质层，位于该衬底上；以及一含金属栅极电极，位于该栅极电介质层上，其中该含金属栅极电极由与该第一电容电极相同的材料所形成，该含金属栅极电极并位于与该第一电容电极相同的水平面上。