[发明专利]碱性阻挡层抛光浆液无效
| 申请号： | 200810095889.0 | 申请日： | 2008-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101302405A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | T·托马斯;叶倩萩 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种可对包括含钽阻挡层和铜互连的半导体基材进行化学机械抛光的水性浆液，该浆液包含：0－5重量％的氧化剂，0.1－25重量％的二氧化硅颗粒，0.001－3重量％的聚乙烯基吡咯烷酮，0.02－5重量％的亚胺阻挡层去除剂，0.02－5重量％的碳酸盐，0.01－10重量％的用来减小铜互连的静蚀刻的抑制剂，0.001－10重量％的络合剂，以及余量的水，所述亚胺阻挡层去除剂选自以下的至少一种：甲脒、甲脒衍生物、甲脒盐、胍、胍衍生物、胍盐，以及它们的混合物；所述水性浆液的pH值为9－11。 | ||
| 搜索关键词： | 碱性 阻挡 抛光 浆液 | ||
【主权项】：
1.一种可对包括含钽阻挡层和铜互连的半导体基材进行化学机械抛光的水性浆液，该浆液包含：0-5重量％的氧化剂，0.1-25重量％的二氧化硅颗粒，0.001-3重量％的聚乙烯基吡咯烷酮，0.02-5重量％的亚胺阻挡层去除剂，0.02-5重量％的碳酸盐，0.01-10重量％的用来减小铜互连的静蚀刻的抑制剂，0.001-10重量％的络合剂，以及余量的水，所述亚胺阻挡层去除剂选自以下的至少一种：甲脒，甲脒衍生物，甲脒盐，胍，胍衍生物，胍盐，以及它们的混合物；所述水性浆液的pH值为9-11。
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