[发明专利]对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法无效
| 申请号： | 200810095192.3 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101320224A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 金钟穆;王竹戌;阿杰·M·乔希;景宝·刘;布赖恩·Y·浦 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G03F7/075 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法。在本发明一个实施例中，使用无卤素等离子体蚀刻工艺在包含无定形碳层的多层堆叠掩膜中定义特征。在特定实施例中，应用氧气(O2)、氮气(N2)和一氧化碳(CO)蚀刻无定形碳层，以形成能够在衬底薄膜上制造具有较小线边缘粗糙度的亚－100nm特征的掩膜。在另一个实施例中，本发明在无卤素无定形碳蚀刻前使用O2等离子体预处理，在图案化光刻胶层中先形成一个氧化硅区域，以提高相对于包含非氧化硅的图案化光刻胶层的无定形碳蚀刻选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 具有 选择 卤素 无定形碳 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在多层掩膜中蚀刻特征的方法，包括：提供具有包括图案化光刻胶层和无定形碳层的多层掩膜的衬底；使用包含O2、N2和CO的等离子体蚀刻无定形碳层。
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