[发明专利]半导体装置的晶体管及其制造方法无效
申请号: | 200810093572.3 | 申请日: | 2008-04-25 |
公开(公告)号: | CN101335269A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 姜春守 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体装置的晶体管及其制造方法。半导体装置的晶体管可包括:半导体基板,具有隔离层界定的有源区;凹入沟槽,形成在该有源区中且配置成沿一个方向跨过该半导体基板;以及栅极线,形成为直线图案,且交叠该凹入沟槽并且配置成以近似直角与该凹入沟槽交叉。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的晶体管,所述晶体管包括:半导体基板,包括由隔离层界定的有源区;第一凹入沟槽,形成在所述有源区中且配置成沿一个方向跨过所述半导体基板;以及第一栅极线,形成为大致上直线图案,交叠所述第一凹入沟槽,并且配置成以近似直角与所述第一凹入沟槽交叉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810093572.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:盘式计米印字机中的传动机构
- 下一篇:一种车载多媒体影音装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的