[发明专利]半导体装置的晶体管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810093572.3 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101335269A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 姜春守 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种半导体装置的晶体管及其制造方法。半导体装置的晶体管可包括:半导体基板,具有隔离层界定的有源区;凹入沟槽,形成在该有源区中且配置成沿一个方向跨过该半导体基板;以及栅极线,形成为直线图案,且交叠该凹入沟槽并且配置成以近似直角与该凹入沟槽交叉。
搜索关键词: 半导体 装置 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的晶体管,所述晶体管包括:半导体基板,包括由隔离层界定的有源区;第一凹入沟槽,形成在所述有源区中且配置成沿一个方向跨过所述半导体基板;以及第一栅极线,形成为大致上直线图案,交叠所述第一凹入沟槽,并且配置成以近似直角与所述第一凹入沟槽交叉。
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