[发明专利]具有嵌入式多类型存储器的存储器结构有效

专利信息
申请号: 200810092809.6 申请日: 2008-05-04
公开(公告)号: CN101325086A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 赵凌强 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;H01L27/112
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具有嵌入式多类型存储器的存储器结构,该存储器包括:第一类型的存储器;以及第二类型的存储器,其形成于第一类型的存储器上,其中第一类型的存储器以及第二类型的存储器中的一种为非易失性存储器,且第一类型的存储器以及第二类型的存储器中的另一种为易失性存储器或为非易失性存储器。另外,非易失性存储器可包括每一存储器单元的储存元件,此储存元件包括:底部电极层;储存体材料层,其安置于底部电极层上方,其中储存体材料在不同电操作条件下具有至少两种物理状态;以及顶部电极层,其安置于储存体材料层上方。
搜索关键词: 具有 嵌入式 类型 存储器 结构
【主权项】:
1、一种存储器,其特征在于,包含:一第一部分电路,是一第一类型的存储器,是一非易失性存储器;以及一第二部分电路,是一第二类型的存储器,包括易失性存储器、闪存、或是由导体/储存体/导体的叠层结构所构成的一存储器,相异于该第一类型的存储器,其中所述第一部分电路与所述第二部分电路构成一集成电路。
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