[发明专利]形成图案的方法、半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 200810092623.0 | 申请日: | 2008-04-16 |
公开(公告)号: | CN101290870A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 野元章裕;野本和正;福田敏生 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子。然后,通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在表面上具有导电膜的第一板的表面上,在第一板上形成作为第一图案的反转图案的第二图案。然后,导电膜的第一图案转移到第二板的凸起顶表面上。然后,通过将表面上具有第二图案的第一板的表面压在转移基板的表面上,将第二图案转移到转移基板的表面上。 | ||
搜索关键词: | 形成 图案 方法 半导体 装置 及其 制造 | ||
【主权项】:
1、一种形成图案的方法,包括如下步骤:通过在第一板上涂敷液体组合物形成导电膜,该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子;通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在该第一板的形成有该导电膜的表面上,并且将该导电膜的第一图案转移到该第二板的凸起顶表面上,从而在该第一板上形成为该第一图案的反转图案的第二图案;以及通过将该第一板的形成有该第二图案的表面压在转移基板的表面上,将该第二图案转移到该转移基板的表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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