[发明专利]形成图案的方法、半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810092623.0 申请日: 2008-04-16
公开(公告)号: CN101290870A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 野元章裕;野本和正;福田敏生 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子。然后,通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在表面上具有导电膜的第一板的表面上,在第一板上形成作为第一图案的反转图案的第二图案。然后,导电膜的第一图案转移到第二板的凸起顶表面上。然后,通过将表面上具有第二图案的第一板的表面压在转移基板的表面上,将第二图案转移到转移基板的表面上。
搜索关键词: 形成 图案 方法 半导体 装置 及其 制造
【主权项】:
1、一种形成图案的方法,包括如下步骤:通过在第一板上涂敷液体组合物形成导电膜,该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子;通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在该第一板的形成有该导电膜的表面上,并且将该导电膜的第一图案转移到该第二板的凸起顶表面上,从而在该第一板上形成为该第一图案的反转图案的第二图案;以及通过将该第一板的形成有该第二图案的表面压在转移基板的表面上,将该第二图案转移到该转移基板的表面上。
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