[发明专利]多路径可存取半导体存储器设备无效

专利信息
申请号: 200810091193.0 申请日: 2008-04-09
公开(公告)号: CN101286144A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 权镇亨;孙汉求;李东瑀 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F13/18 分类号: G06F13/18;G06F15/167
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种多路径可存取半导体存储器设备提供在间接控制闪存的多个处理器之间的接口连接功能。所述多路径可存取半导体存储器设备包括共享存储器区域、内部寄存器和控制单元。共享存储器区域由第一处理器和第二处理器经由不同的端口存取,并且被分配给存储器单元阵列的一部分。内部寄存器位于存储器单元阵列的外部并且由第一处理器和第二处理器存取。控制单元提供与共享存储器区域外部的闪存相关的地址映射数据的存储,从而即使当仅第二处理器耦接到所述闪存,第一处理器也通过使用共享存储器区域和内部寄存器来间接存取闪存。所述控制单元控制共享存储器区域与第一处理器和第二处理器之一之间的连接路径。处理器共享闪存,并且多处理器系统具有紧凑的大小,从而明显地减少了多处理器系统内利用的存储器的成本。
搜索关键词: 路径 存取 半导体 存储器 设备
【主权项】:
1.一种半导体存储器设备,包括:由第一处理器和第二处理器经由不同的输入/输出端口存取的共享存储器区域,所述共享存储器区域被分配到存储器单元阵列的一部分;位于存储器单元阵列外部并且由第一处理器和第二处理器存取的内部寄存器;和控制单元,被配置成控制与闪存相关的地址映射数据的存储,从而即使当仅第二处理器耦接到所述闪存,第一处理器也通过使用共享存储器区域和内部寄存器来间接存取闪存,所述控制单元进一步被配置成将共享存储器区域操作性地连接到第一处理器和第二处理器之一。
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