[发明专利]一种形成半导体器件金属线的方法无效
| 申请号： | 200810089379.2 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101471282A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郑宇荣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件金属线的方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；在包括介电膜的整个结构上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；通过除去光刻胶图案暴露介电膜；通过蚀刻所述暴露的介电膜形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在包括镶嵌图案的整个结构上形成金属材料，并且该抛光金属材料，由此形成金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 半导体器件 金属线 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体器件的金属线的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；在所述介电膜上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；除去所述光刻胶图案以暴露所述介电膜；蚀刻所述暴露的介电膜以形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在所述镶嵌图案上形成金属材料；和抛光所述金属材料，由此形成金属线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810089379.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用手机购买彩票的方法
- 下一篇：射频信号的识别、应答方法及系统,标签和阅读器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
