[发明专利]动态随机存取存储器元件包

摘要

一种动态随机存取存储器元件包(DRAM cell)，包括基板、晶体管、以及电容。基板是由半导体材料所构成，具有一主体表面；晶体管形成于主体表面；电容，形成于一金属层，且金属层位于晶体管的上方。晶体管包括源极区域、漏极区域、以及控制栅极。源极区域及漏极区域形成于基板的主体表面，控制栅极位于源极区域与漏极区域之间，控制栅极与基板之间以一薄控制介电层相隔。电容包括第一电极、形成于第一电极上的介电层、以及形成于介电层上的第二电极。此动态随机存取存储器元件包可提高密度，简化工艺。在此还揭露一种形成于多层金属层的动态随机存取存储器元件包。

主权项

1.一种动态随机存取存储器元件包，包含：一基板，其是由半导体材料所构成，具有一主体表面；一晶体管，形成于该主体表面；以及一电容，形成于一金属层，且该金属层位于该晶体管的上方。