[发明专利]生成温度补偿用电压的半导体装置无效
| 申请号： | 200810087475.3 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276228A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝;桐木成章;山内忠昭;小野峰和;长泽勉;久下英比古 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G05F3/22 | 分类号： | G05F3/22;G05F3/02;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。输入晶体管部(11)包括具有被供给基准电压的控制电极的第一晶体管(M1)。输出晶体管部(12)包括被二极管连接的第二晶体管(M11)。输入晶体管部(11)及输出晶体管部(12)中的至少任何一个还包括第三晶体管，该第三晶体管进行二极管连接，并且与对应的第一晶体管(M1)或第二晶体管(M11)串联连接，输出与对应的晶体管相同方向的电流。输入晶体管部(11)及输出晶体管部(12)各自包括的晶体管个数不同。输入晶体管部(11)所包括的晶体管的尺寸与输出晶体管部(12)所包括的晶体管的尺寸不同。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 温度 补偿 用电 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具有：第一输入晶体管部，包括具有被供给基准电压的控制电极的第一晶体管；第一输出晶体管部，包括进行二极管连接的第二晶体管；第一输出电流控制电路，使与流过所述第一晶体管的导通电极间的电流对应的电流流过所述第二晶体管的导通电极间，所述第一输入晶体管部及所述第一输出晶体管部的至少任意一个还包括一个或多个第三晶体管，该第三晶体管进行二极管连接，并且与对应的所述第一晶体管或所述第二晶体管串联连接，输出与所述对应的所述第一晶体管或所述第二晶体管的输出电流相同方向的电流，所述第一晶体管及所述第一输入晶体管部中的所述第三晶体管的总数，与所述第二晶体管及所述第一输出晶体管部中的所述第三晶体管的总数不同，所述第一晶体管的尺寸及所述第一输入晶体管部中的所述一个或多个第三晶体管的尺寸，与所述第二晶体管的尺寸及所述第一输出晶体管部中的所述一个或多个第三晶体管的尺寸不同，将所述第二晶体管的控制电极上的电压作为输出电压。
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