[发明专利]高质量和超大屏幕液晶显示设备及其生产方法有效
申请号: | 200810087069.7 | 申请日: | 2004-05-14 |
公开(公告)号: | CN101266376A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 广田直人 | 申请(专利权)人: | 大林精工株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G03F7/20;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;张志醒 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及高质量和超大屏幕液晶显示设备及其生产方法。一种利用横向电场系统的大屏幕液晶显示设备,该显示设备可以显著地改善孔径比、透射率、亮度以及对比度,并且具有低成本和高产量。例如,可以显著地降低屏蔽了视频信号线电场的共电极的宽度并且显著地改善孔径比。特别地,可以将覆盖视频信号线的突起与隔离器结合使用,并且利用半色调曝光方法,可以同时构建隔离器和覆盖视频信号线的突起,这显著缩短了生产过程所需的时间。 | ||
搜索关键词: | 质量 超大 屏幕 液晶显示 设备 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于生产横向电场类型有源矩阵液晶显示设备的半色调背表面曝光装置,包含:用于紫外光或紫外光LED的多个硅光纤光缆;其中这些光纤光缆按照同轴形式成束,使得紫外线可以从衬底的背表面仅对横向电场类型液晶显示设备的有源矩阵衬底的有效像素区域进行曝光;用于利用普通的光掩模实施第一半色调曝光(非完全曝光)的装置,其中该普通的光掩模具有这样一种图像:其源电极和漏电极的沟道长度大约为所要实现的薄膜晶体管沟道长度的一半,以及用于在将有源矩阵衬底沿水平方向移动大约为薄膜晶体管的沟道长度一半的长度之后,实施第二半色调曝光(非完全曝光)过程的装置。
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