[发明专利]光致抗蚀剂层的形成方法无效
| 申请号： | 200810085488.7 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101539724A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 刘宇桓;陈志荣;黄志忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括下列步骤。首先，提供晶片至半导体机台中。接着，使晶片在第一转速下进行旋转。然后，利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的晶片上。接下来，停止供应预湿润溶剂。之后，将晶片的转速从第一转速调整至第二转速，且第二转速大于第一转速。随后，于晶片上涂布光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光致抗蚀剂层的形成方法，包括：提供晶片至半导体机台中；使该晶片在第一转速下进行旋转；利用喷嘴在固定位置上将预湿润溶剂供应至旋转中的该晶片上；停止供应该预湿润溶剂；将该晶片的转速从该第一转速调整至第二转速，且该第二转速大于该第一转速；以及于该晶片上涂布光致抗蚀剂层。
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