[发明专利]氮化物半导体发光装置无效
| 申请号： | 200810085293.2 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101262037A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，其包括：基板；形成于所述基板上的第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层、和第二n型半导体层，其中p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的至少之一包含In，至少一含In层与具有比所述含In层更大的带隙的层接触，并且所述含In层和所述具有更大的带隙的层的界面与p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的界面之间的至少一最短距离小于40nm。根据本发明，可以提供能够减小驱动电压的氮化物半导体发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光装置，包括：基板；形成于所述基板上的第一n型氮化物半导体层；发光层；p型氮化物半导体层；p型氮化物半导体隧道结层；n型氮化物半导体隧道结层；第二n型半导体层；其中所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层至少之一包含In，至少一含In层与具有比所述含In层更大的带隙的层接触，所述至少一含In层是所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层的至少之一，并且所述含In层和所述具有比所述含In层更大的带隙的层的界面与所述p型氮化物半导体隧道结层和所述n型氮化物半导体隧道结层界面之间的最短距离的至少之一小于40nm。
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