[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810085039.2 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101267002A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 崔梁圭;金局奂 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 韩国大田广域市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储元件及其制造方法。根据本发明的非易失性存储元件包括：衬底、形成在衬底的有源区上方的第一氧化膜、形成在有源区内的源极和漏极、形成在第一氧化膜上的电荷存储单元、设置成包围电荷存储单元并形成在第一氧化膜上的第二氧化膜、以及形成以包围第二氧化膜的栅极。在根据本发明的非易失性存储元件及包括其的元件阵列的情况下，电荷存储单元被栅极或栅极衬完全包围，由此能够使可能因形成在另一相邻栅极或栅极衬中的元件的存储运行而发生的干扰现象最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储元件，包括：衬底；形成在所述衬底的有源区上方的第一氧化膜；形成在所述有源区内的源极和漏极；形成在所述第一氧化膜上的电荷存储单元；设置成包围所述电荷存储单元并形成在所述第一氧化膜上的第二氧化膜；以及形成以包围所述第二氧化膜的栅极。
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