[发明专利]磁性存储器及其制造方法与写入方法有效
| 申请号： | 200810083018.7 | 申请日： | 2008-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101452990A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性存储器及其制造方法与写入方法。磁性存储器包括一第一磁性隧穿结构及一第二磁性隧穿结构。第二磁性隧穿结构与第一磁性隧穿结构电性连接，且第二磁性隧穿结构的体积小于第一磁性隧穿结构的体积。根据本发明，每一磁性存储器具有二位的数据存储量，不仅减少了磁性存储器所需要占用的体积，更增加了磁性存储器的写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 及其 制造 方法 写入 | ||
【主权项】：
1. 一种磁性存储器，包括：一第一磁性隧穿结构；以及一第二磁性隧穿结构，与该第一磁性隧穿结构电性连接，且第二磁性隧穿结构的体积小于该第一磁性隧穿结构的体积。
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