[发明专利]研磨液组合物有效

专利信息
申请号: 200810082982.8 申请日: 2003-12-26
公开(公告)号: CN101240159A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 大岛良晓;西本和彦;萩原敏也 申请(专利权)人: 花王株式会社
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;B24B37/04;B24B29/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物,含有水和二氧化硅粒子,其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布,其中,粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2),该关系体现在粒径一累积体积频率的图中,该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(%)来得到,该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算;并且其中,在90%的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物,可以有效制备镀Ni-P的磁盘用基板,该基板磨后具有良好的表面光滑性,其中,微凹坑被有效减少。
搜索关键词: 研磨 组合
【主权项】:
1、一种研磨液组合物,其是含有水和二氧化硅粒子而成的用于存储硬盘用基板的研磨液组合物,其中,通过透射式电子显微镜(TEM)观察测定而得到所述二氧化硅粒子的粒径(nm),在将从小粒径的一侧的累积体积频率(%)相对于所述二氧化硅粒子的粒径绘图而得到的累积体积频率对所述二氧化硅粒子的粒径的曲线图中,所述二氧化硅粒子的粒径5-40nm范围的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(1):V≤2×(R-5) (1)和粒径20-40nm范围的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(2):V≥0.5×(R-20) (2)且累积体积频率为90%的粒径(D90)在65nm以上且不足105nm的范围。
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