[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810082261.7 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101257039A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·H.·沃尔德曼;罗伯特·M.·拉塞尔;布拉德利·A.·奥纳;戴维·C.·谢里丹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L21/328 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。通过向初始半导体衬底的区域进行掺杂剂的离子注入，然后外延生长半导体材料，形成位于超出常规离子注入范围的深度处的远次集电极或埋置掺杂半导体层。通过从沉积在与远次集电极邻接的至少一个深沟槽中的掺杂材料层向外扩散掺杂剂来形成到达该远次集电极的穿通区域。可以围绕所述至少一个深沟槽或仅在所述至少一个深沟槽的一侧形成所述穿通区域。如果所述至少一个沟槽的内部与所述穿通区域电连接，则可以在所述至少一个沟槽内的掺杂填充材料上形成金属接触件。如果所述至少一个沟槽的内部不与所述穿通区域电连接，则在接触所述穿通区域的辅助穿通区域上形成金属接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：远次集电极，位于半导体衬底中且被掺杂以一种导电类型的掺杂剂；至少一个深沟槽，位于所述半导体衬底中；穿通区域，位于所述至少一个深沟槽的壁上和壁外部，邻接所述远次集电极，且被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂；以及至少一个辅助穿通区域，位于所述穿通区域上，接触所述半导体衬底的顶表面，且被掺杂以所述一种导电类型的掺杂剂。
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