[发明专利]存储元件及半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 200810081086.X | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101257088A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 平形吉晴 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/00;H01L21/84;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是如下：实现元件的微细化和避免制造过程的复杂化；提供在制造以外时也可以进行数据的补写并可防止通过改写的伪造等的非易失性存储装置及半导体装置；以及提供廉价的非易性存储装置及半导体装置。本发明以如下步骤制作存储元件：在绝缘膜上配置第一绝缘层、与该第一导电层相邻的第二绝缘层、及其表面被有机膜覆盖的导电微粒；以及将该导电微粒配置在第一导电层和第二导电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储元件，包括：形成在绝缘表面的第一区域上的第一导电层；形成在所述绝缘表面的第二区域上的第二导电层；以及所述第一导电层和所述第二导电层之间的导电颗粒，所述导电颗粒的表面被有机膜覆盖，其中，所述第一区域和所述第二区域分开，并且，通过所述存储元件的写入工作，所述第一和第二导电层至少通过所述导电颗粒彼此电连接。
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