[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810080659.7 | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101257048A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋;斯蒂法诺维奇·金里克;宋利宪;朴永洙;金昌桢 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和该漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层形成在该沟道层与该源极之间和该沟道层与该漏极之间。
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