[发明专利]平面环形微腔无效
申请号: | 200810079330.9 | 申请日: | 2008-08-30 |
公开(公告)号: | CN101349780A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 张文栋;闫树斌;熊继军;薛晨阳;严英占;吉喆;王少辉;姜国庆;王宝花 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/13;G02F1/35;H01S5/10;H01S3/08 |
代理公司: | 山西太原科卫专利事务所 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030051山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及微型光学谐振器—光学微腔,具体是一种平面环形微腔。解决了以现有加工方法加工制得的环形微腔未能获得超高品质因数Q值的问题,是以如下步骤方法制得的:1.在硅基上热生长出二氧化硅层,去离子水和丙酮清洗,氮气烘干,高温炉内烘烤;2.利用刻蚀工艺将硅基上的二氧化硅层刻蚀成圆盘状;3.对硅基进行各向同性腐蚀以在圆盘状二氧化硅层下方形成光滑的圆台状支柱;4.采用激光器以高斯热分布模式经汇聚透镜对圆盘状二氧化硅层进行表面热处理,使圆盘状二氧化硅层中心表面塌陷形成环状腔体。具有良好的光学特性、光学存储作用、超高品质因数,在非线性光学、光子学、量子电动力学、高灵敏度微光学器件等领域具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 平面 环形 | ||
【主权项】:
1、一种平面环形微腔,其特征在于:是以如下步骤方法制得的:1)、利用硅热氧化工艺在硅基(1)上热生长出厚度为2~5μm的二氧化硅层(2),然后用去离子水和丙酮清洗后,用氮气烘干,再在高温炉中100~150℃高温范围内烘烤5~10分钟;2)、利用刻蚀工艺将硅基(1)上的二氧化硅层(2)刻蚀成圆盘状;3)、利用体硅微加工工艺对硅基(1)进行各向同性腐蚀以在圆盘状二氧化硅层(2)下方形成光滑的圆台状支柱;4)、采用激光器以高斯热分布模式经汇聚透镜对圆盘状二氧化硅层(2)进行表面热处理,使圆盘状二氧化硅层(2)中心表面塌陷形成环状腔体,得到所述平面环状微腔(3)。
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