[发明专利]掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200810071780.3 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101676443A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王国富;赵旺;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/00;C30B15/04;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途。采用熔盐提拉法，在1010℃左右，以10～30转/分钟的晶体转速，0.2～0.7毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:CsLa(WO4)2晶体。该晶体的主吸收峰在804nm，半峰宽(FWHM)为9nm，吸收截面为9.15×10-20cm2，适合于采用AsGaAl半导体激光来泵浦。在850nm-1400nm波段有三个非常宽的发射带，在1060nm处发射跃迁截面为15.4×10-20cm2，荧光寿命为210μs。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm左右波长的激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕钨酸镧铯 激光 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种掺钕钨酸镧铯激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为CsLa(WO4)2，属于四方晶系，空间群为P42/nmc，晶胞参数为![]()
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Dc＝6.16g/cm3。
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