[发明专利]一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速成锥方法

摘要

一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速成锥方法，采用一种新的大口径KDP板状籽晶成锥的工艺控制方法，采用成锥初期在适当的过饱和度下，籽晶静止生长，改变传统的籽晶成锥工艺控制条件，实现了大口径KDP板状籽晶的快速成锥，缩短了大口径KDP晶体的生产周期；闭锥后高度为为板状籽晶底边长的一半，而成锥为“空锥”，实现理想状态的板状籽晶成锥模式，大大减少了籽晶成锥所需的饱和溶液的析出量；成锥后晶体各个晶面都为透明生长，保证了生长晶体质量。

主权项

1. 一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速成锥方法，其特征在于：该单晶体的生长分为三个成锥时期：(1)在籽晶成锥初期，板状籽晶的四个角出现生长薄片“角蓬”，其中两个“角蓬”生长特别迅速，但还没有形成成锥的锥尖，这时控制降温速率从0.5℃/天，以0.1℃/天的速率递减的降温程序，并保持籽晶静止生长；(2)在籽晶成锥中期，当形成成锥的锥尖，“角蓬”开始倒勾向上生长，停止降温，并以60～70转/分的转速，按照“正转-停转-反转”顺序，时间间隔为“60秒-15秒-60秒”的模式转动籽晶；(3)在成锥后期，空锥已完全封闭，成锥完成晶体进入稳定的透明层生长，这时应控制降温速率为0.05～0.1℃/天，并继续成锥中期的转动方式旋转晶体生长。