[发明专利]半导体存储介质的寿命获取方法、系统及装置有效
| 申请号： | 200810068481.4 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101625902A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 卢赛文 | 申请（专利权）人： | 深圳市朗科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G06F12/00;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 胡海国;王艳春 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电数字数据处理领域，尤其涉及一种半导体存储介质的寿命获取方法、系统及装置。所述寿命获取方法包括如下步骤：建立半导体存储介质寿命模型，半导体存储介质寿命模型中包括半导体存储介质的寿命信息；获取半导体存储介质的寿命信息。本发明通过将半导体存储介质的寿命信息以表的形式记录起来，形成寿命表，从而建立包含半导体存储介质各种寿命信息的寿命模型，以便于使用。然后从此寿命模型中获取各种寿命信息。通过这种方法获得的半导体存储介质的寿命信息可以经过计算后显示或者进行其他方式的寿命提示，这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份，保护了数据的安全性，避免了数据的丢失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 介质 寿命 获取 方法 系统 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储介质寿命获取方法，其特征在于，包括如下步骤：建立半导体存储介质寿命模型，半导体存储介质寿命模型中包括半导体存储介质的寿命信息；获取半导体存储介质的寿命信息。
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