[发明专利]一种磁控溅射方法无效
申请号: | 200810066653.4 | 申请日: | 2008-04-16 |
公开(公告)号: | CN101514442A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 邹建和 | 申请(专利权)人: | 深圳深爱半导体有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 518029广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁控溅射的方法,该磁控溅射方法包括以下步骤,送片装置将待溅射的晶片送入装卸腔,由装卸腔里设置的旋转盘上的弹簧夹皮夹住所述晶片;所述旋转盘将所述晶片旋转到溅射腔里溅射;在溅射过程中,往所述溅射腔里通入冷却气体,冷却所述晶片;所述旋转盘将溅射完的晶片送出装卸腔卸载。本发明的磁控溅射的方法,通过在溅射晶片的过程中,往所述溅射腔里通入冷却气体,用于冷却所述晶片,可以使晶片的温度降低,晶片的温度比较低就不会出现晶片各处热应力不均匀,使晶片出现碎片的几率降低,使得产品的质量提高,溅射设备的正常使用时间也会变长,特别是对于生产200-300u的薄片效果更明显。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】:
1、一种磁控溅射方法,其特征在于:该方法包括以下步骤,步骤一、送片装置将待溅射的晶片送入装卸腔,由装卸腔里设置的旋转盘上的弹簧夹皮夹住所述晶片;步骤二、所述旋转盘将所述晶片旋转到对应溅射腔里溅射;步骤三、在溅射过程中,往所述溅射腔里通入冷却气体,冷却所述晶片;步骤四、旋转盘将溅射完的晶片送出装卸腔卸载。
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