[发明专利]场发射电子源有效
| 申请号： | 200810066123.X | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101540251A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 | ||
【主权项】：
1.一种场发射电子源，其包括一导电基体，其特征在于，该场发射电子源进一步包括一碳纳米管针尖，该碳纳米管针尖包括一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部包括一根突出的碳纳米管。
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