[发明专利]一种高取向溴化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法

摘要

本发明公开了一种高取向的溴化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法。包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或不锈钢，再用去离子水将ITO导电玻璃或不锈钢放在超声波清洗器里清洗，接着将ITO导电玻璃或不锈钢放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去离子水清洗；2)溴化铜溶液，用2mol/L的HBr或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值，得到电解液；3)ITO导电玻璃或不锈钢作为工作电极，铂电极作为对电极，甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积。相对于饱和甘汞电极的电沉积阴极电位为0.05V～－0.4V，沉积电量为0.01～10库仑，沉积温度25～80℃。本发明优势在于设备简单、低温、低成本、易于控制薄膜的取向和形貌等优点。不仅适合于科学研究，而且适合于大规模工业生产。

主权项

1.一种高取向溴化亚铜半导体薄膜的电化学制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或不锈钢2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃或不锈钢放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃或不锈钢放在10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗；2)0.05～2摩尔/升的溴化铜溶液，用2mol/L的HBr或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值为1～5.0，得到电解液；3)ITO导电玻璃或不锈钢作为工作电极，铂电极作为对电极，甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积，相对于饱和甘汞电极的电沉积阴极电位为0.05V～-0.4V，沉积电量为0.01～10库仑，沉积温度25～80℃。