[发明专利]高Bs低损耗MnZn铁氧体及其制作方法有效
| 申请号： | 200810059432.4 | 申请日： | 2008-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101266860A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吕东华;颜冲;包大新;雷国莉;王宝燕 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/34 | 分类号： | H01F1/34;C04B35/38;C04B35/64 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江省东阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MnZn铁氧体及其制作方法，尤其是指一种用于制造磁芯的高Bs、低损耗MnZn铁氧体及其制作方法。本发明主要是针对现有技术所存在的饱和磁通密度低，损耗大等问题，通过改良成分，提供一种在高温下饱和磁通密度高、损耗低、成本低、能适应现有大生产的高Bs低损耗MnZn铁氧体及其制作方法。本发明的MnZn铁氧体其组份包括：53.5～56mol％的Fe2O3、1.5～4mol％的ZnO，41～42.5mol％的MnO，其余为副成分；所述的副成分为：0.001～0.008wt％的SiO2和0.1～0.4wt％的CaCO3。 | ||
| 搜索关键词： | bs 损耗 mnzn 铁氧体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高Bs低损耗MnZn铁氧体，其组份包括：53.5～56mol％的Fe2O3、1.5～4mol％的ZnO，41～42.5mol％的MnO，其余为副成分；所述的副成分为：0.001～0.008wt％的SiO2和0.1～0.4wt％的CaCO3，以上副成分是相对于Fe2O3、MnO、ZnO的总量以重量百分比计算。
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