[发明专利]一种基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料无效
| 申请号： | 200810058310.3 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101265501A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 周荣;张玉勤;蒋业华 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C12Q1/68 | 分类号： | C12Q1/68;G01N27/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐玲菊 |
| 地址： | 650093云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钽掺杂氧化锡薄膜载体材料，它由普通玻片或单晶硅片基底材料、钽掺杂氧化锡薄膜及醛基活性修饰层组成，并且钽掺杂氧化锡薄膜的成分为下列质量百分含量：Ta 0.8～8.2％；Sn 70.9～78％；O 20.9～21.2％。所提供的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低以及生物相容性好等特性，能够实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析，该载体材料适于采用无标记电学检测技术的基因芯片。本发明还具有制备工艺简单易行，成本低廉，易于实现工业化生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基因芯片 掺杂 氧化 薄膜 载体 材料 | ||
【主权项】：
1、一种基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料，其特征在于载体材料由基底材料、钽掺杂氧化锡薄膜及醛基活性修饰层组成，并且钽掺杂氧化锡薄膜的成分为下列质量百分含量：Ta 0.8～8.2％；Sn 70.9～78％；O 20.9～21.2％。
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