[发明专利]TFT-LCD像素结构无效
| 申请号： | 200810056881.3 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101493616A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 申伟;李丽;高浩然 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构，包括位于像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，所述栅线位于像素区域的中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，且与所述像素电极连接。进一步地，所述薄膜晶体管为二个，均与所述像素电极连接。本发明通过取消公共电极线，由位于像素区域中部的栅线与像素电极形成存储电容，有效减少了由于公共电极线引起的相关不良。进一步地，本发明通过在一个像素区域内形成了二个薄膜晶体管，且二个薄膜晶体管均与一个像素电极连接，使本发明具有响应快、可靠性高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种TFT-LCD像素结构，包括位于像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，其特征在于，所述栅线位于像素区域的中部，与所述像素电极形成存储电容，所述数据线相对于栅线垂直设置，位于像素区域的一侧，至少一个所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，且与所述像素电极连接。
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