[发明专利]一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法

摘要

一种Zr掺杂CeO₂过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ce_1－xZr_xO₂(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得：首先，将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1－x∶x，其中0.1≤x≤0.5，溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液；然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上，在通有保护气的条件下，于950～1200℃烧结15～120分钟，获得Ce_1－xZr_xO₂薄膜。本发明的厚度可以达到30～250nm，膜表面致密平整，没有微观裂纹和孔洞，具有较高的织构，制备工艺简单，成本低廉。

主权项

1.一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜，其特征在于，所述的薄膜为CeO2基体中掺杂Zr形成的Ce1-xZrxO2复合氧化物固溶体，其中，0.1≤x≤0.5，膜的厚度为30～250nm。