[发明专利]高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法，利用超高频等离子体增强化学气相沉积技术，其中，将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少两个时间段，每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。本发明采用逐渐降低输入功率的方法沉积本征微晶硅薄膜，达到控制本征微晶硅薄膜纵向微结构演变和提高微结构致密性，从而提高高速沉积微晶硅太阳电池的光电转换效率。

主权项

1、一种高速沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，用于硅基薄膜太阳电池，利用超高频等离子体增强化学气相沉积技术，其特征在于：将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少两个时间段，所述每个时间段控制在5～20分钟，所述每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。