[发明专利]低温快速制备MgB2超导体的方法无效
| 申请号： | 200810053759.0 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101314544A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘永长;马宗青;赵倩;余黎明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;H01B12/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为低温快速制备MgB2超导体的方法，利用Cu粉和SiC粉共同掺杂的方法。先将Mg粉、Cu粉和B粉按原子量比例(MgB2)1－xCux其中：x＝0.01～0.10充分混合，然后该混合粉末再与SiC按照质量比例(MgB2)1－xCux+y SiC，其中：y＝0.01～0.10进行配比，在2～10MPa的压力下制成薄片，最后将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行低温烧结，升温速率5～40℃/min，升至490～620℃后，在此温度保温烧结2～10个小时，然后以10～40℃/min的冷却速度降至室温。本发明中制备MgB2超导体的烧结温度低，烧结时间短，从而大大弥补了传统低温烧结法制备MgB2超导体所需时间长的弊端，而且制备出来的MgB2超导体具有优良的超导性能。因而这种Cu和SiC共掺杂低温烧结的方法是一种非常有潜力的实用生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 快速 制备 mgb sub 超导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温快速制备MgB2超导体的方法，其特征是利用Cu粉和SiC粉共同掺杂的方法。
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