[发明专利]一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法

摘要

一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法，采用水热合成工艺在水溶性离子液体中生长制成，其制备步骤如下：1)将可溶性钛源溶解在盐酸水溶液中，加入咪唑盐型离子液体制成混合溶液；2)将基片引入晶种，方法是将基片蘸取德固赛P25悬浮溶液，然后进行退火处理；3)将引入晶种的基片浸入上述混合溶液中进行水热合成反应；4)将基片取出后通过水洗至中性，经干燥后即可得到分散排列的金红石纳米棒阵列的单层薄膜。本发明的优点是：方法简单、成本低，结晶性能好且排列规整，纳米棒长径比大且直径尺寸分布均匀，比表面高，其棒间分散的空间能有效地填充多种物质，可广泛应用于染料敏化太阳能电池电极、氧气传感器等领域。

主权项

1.一种金红石纳米棒阵列膜的制备方法，采用水热合成工艺在水溶性离子液体中生长制成，其特征在于制备步骤如下：1)将可溶性钛源和浓度为0.2～0.6摩尔/升的咪唑盐型离子液体加入浓度为6摩尔/升的盐酸水溶液中制成混合溶液并搅拌均匀，在制成的混合溶液中，最终咪唑盐离子液体的浓度为0.05～0.5摩尔/升，钛源浓度为0.2∽0.6摩尔/升；2)将晶种引入到基片上，方法是将基片蘸取质量浓度为0.05g/mL的德固赛P25悬浮溶液，然后在100～200℃温度下退火2小时；3)将引入晶种的基片浸入上述混合溶液中进行水热合成反应，反应条件为温度80℃～150℃，晶体生长时间12～50小时；4)将基片取出后通过水洗至中性，经干燥后即可得到分散排列的金红石纳米棒阵列的单层薄膜。