[发明专利]InAs量子点材料的制备方法及其在太阳能电池中的应用

摘要

本发明提供一种InAs量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，调节所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、成分和面密度，确定量子点材料的带隙。该方法易于控制，工艺稳定。

主权项

1、一种量子点材料的外延层结构，其特征在于，采用MOCVD外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、Sb表面活化层、InAs量子点层、InxGa1-xAs应变层、GaAs或AlGaAs阻挡层、GaAs覆盖层。