[发明专利]经颅磁场刺激器刺激强度调制方法及其装置无效
| 申请号： | 200810046822.8 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101234233A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孙逸华;夏正才;余维新;廖家华;葛康 | 申请（专利权）人： | 武汉依瑞德医疗设备新技术有限公司 |
| 主分类号： | A61N2/04 | 分类号： | A61N2/04;A61N2/00;G06Q50/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种经颅磁场刺激器刺激强度调制方法及其装置，其特征在于：各种变化的调制波和变化的刺激频率同时由微电脑控制器发出，经取样电路取样和比较器控制储能电容充电，使储能电容电压达到调制波给定值，再由微电脑控制器触发可控硅电子开关，实现磁场输出能量随着调制波和载波的变换而变化，成为双动态调幅调频波。本发明使磁场输出强度随时变化，使体内的感应电流也随之变化。多参数动态调制的输出波型使磁场刺激变化丰富，感觉新鲜，不容易产生适应性和耐受性，从而提高治疗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 刺激 强度 调制 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种经颅磁场刺激器刺激强度调制方法，其特征在于：各种变化的调制波和变化的刺激频率同时由微电脑控制器发出，经取样电路取样和比较器控制储能电容充电，使储能电容电压达到调制波给定值，再由微电脑控制器触发可控硅电子开关，实现磁场输出能量随着调制波和载波的变换而变化，成为双动态调幅调频波。
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