[发明专利]一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810045647.0 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101423335A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;徐建华;于军胜;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/28 | 分类号： | C03C17/28;C04B41/63 |
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| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法，包括表面活性剂有序膜和表面活性剂/导电聚合物复合有序膜的制备。本发明的特点是，通过一种修饰Langmuir-Blodgett(LB)有序纳米薄膜的方法，利用纳米薄膜中提供的活性点来固定氧化剂，并采用单体气体扩散吸附并聚合的方法得到导电聚合物多层有序纳米薄膜。本发明中得到的导电聚合物复合纳米薄膜层状有序，导电性能好，多层膜层间距可调控。本发明可用于制备高导电聚合物膜及气体传感器敏感薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 聚合物 有序 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种导电聚合物有序纳米薄膜的制备方法，通过修饰表面活性剂纳米薄膜，在多层膜中引入氧化剂活性点，让导电聚合物单体吸附在氧化剂活性点发生聚合，得到导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构，包括以下步骤：①将表面活性剂溶于溶剂中，形成表面活性剂单分子溶液；②将氧化剂溶于亚相中，并调整溶液的pH值；③将表面活性剂单分子溶液滴加于含氧化剂的亚相，并形成复合单分子膜；④控制LB拉膜机滑障压缩复合单分子膜到成膜膜压，将处理后的基片采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至基片上；⑤将沉积了复合单分子膜的基片首先暴露于氧化性气体中；⑥将沉积了复合单分子膜的基片再暴露于导电聚合物单体气氛中。
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