[发明专利]具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层较薄(1～2μm)；栅氧化层较厚(100～800nm)；栅极场板跨过栅极上方并延伸至漂移区的上方。器件体区中还可具有位于厚栅氧下方并与源区相连的有源扩展区，以使整个器件更加有效的形成。本发明栅氧层较厚，可承受大的栅源电压，满足电平位移电路的需要；SOI层较薄，可降低器件的寄生效应，减小损耗；通过在功率器件表面增加跨过栅极的栅极场板，可增大漂移区耗尽，降低栅极末端的硅表面电场峰值，改善器件的击穿特性，并有助于提高漂移区浓度，降低器件的导通电阻。本发明具有寄生效应小、速度快、功耗低、抗辐照能力强等优点，且与标准工艺兼容。采用本发明可以制作各种性能优良的高压、高速、低导通损耗的功率器件。

主权项

1.具有栅极场板的薄膜SOI厚栅氧功率器件，它包括衬底(1)、埋氧层(2)、SOI层(15)、厚栅氧(10)、栅极(11)、源极(13)和漏极(14)；所述埋氧层(2)处于衬底(1)和SOI层(15)中间；所述SOI层(15)由体区(3)、漏区阱(4)、漂移区(5)、源区(7)、阱接触区(8)和漏区(9)构成；所述厚栅氧(10)处于栅极(11)和SOI层(15)之间，所述漏区(9)处于漏极(14)和漏区阱(4)之间，所述源区(7)和阱接触区(8)并排处于源极(13)和体区(3)之间；所述栅极(11)、源极(13)和漏极(14)通过层间介质(12)相互隔离；其特征在于：整个器件还具有栅极场板(21)，所述栅极场板(21)与栅极(11)相连并在器件表面跨过栅极(11)的上方并延伸至漂移区(5)的上方；所述SOI层(15)的厚度为1μm～2μm；所述栅氧层(10)的厚度为100nm～800nm；所述体区(3)、漂移区(5)、漏区阱(4)直接与埋氧层(2)相接。