[发明专利]一种GexC1-x/DLC增透保护膜及其制备方法无效
申请号: | 200810045241.2 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101464529A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 黄宁康;刘金蓉;王立无;姜辉 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610064四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种GexC1-x/DLC增透膜及其制备方法,该膜为双层膜。第一层(2)为GexC1-x,其折射率从基体值变化至2.1,第二层(3)为DLC膜,其折射率为2.1变化至1.7。涂覆后,提高了光学元件在0.7-14μm内的透过率及抗磨耐蚀性能。采用双靶磁控溅射沉积GexC1-x/DLC时,改变碳氢化物比例或偏压来控制DLC膜内的sp3含量;改变辅助气体流量比、双靶溅射电流等参数控制GexC1-x及DLC膜的折射率。采用双离子束溅射沉积GexC1-x/DLC时,改变双离子束束流强度比例控制GexC1-x膜的折射率;改变单离子束束流强度和碳化物气体流量比控制DLC膜的折射率;改变碳化物气体种类或改变偏压控制DLC膜内的sp3含量。通过沉积时间来控制GexC1-x/DLC膜的厚度。本发明方法简单,各制备工艺参数相互牵制性小,制备出的膜增透效果及抗磨耐蚀性能优良。 | ||
搜索关键词: | 一种 ge sub dlc 保护膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种GexC1-x/DLC增透保护膜,其特征是所述的GexC1-x/DLC增透保护膜成膜于光学元件的入射面或/和出射面上,GexC1-x/DLC增透保护膜具有双层结构。
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