[发明专利]深沟槽二次刻蚀接触孔及刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810044011.4 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740468A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李江华;张朝阳;孙效中;薛浩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽接触孔二次刻蚀方法，包括以下步骤：1.接触孔曝光；2.第一次深槽接触孔刻蚀；3.去胶，第二次深槽接触孔刻蚀；4.形成连接层；其中，第二次深槽接触孔刻蚀的气流量为3000-4000标准立方厘米，气流速度为150-200标准立方厘米/秒。本发明还公开了一种深沟槽二次刻蚀接触孔，接触孔上面宽下面窄，且接触孔侧面表面连续，不存在断裂。本发明方法形成比较光滑的瓶塞状，解决了金属填充的断层与空洞等问题。更改金属与硅之间连接层工艺，减小器件漏电，调节出满足性能要求的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 二次 刻蚀 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽接触孔二次刻蚀方法，包括以下步骤：第一步，接触孔曝光；第二步，第一次深槽接触孔刻蚀；第三步，去胶，第二次深槽接触孔刻蚀；第四步，形成连接层；其特征在于，第二次深槽接触孔刻蚀的气流量为3000-4000标准立方厘米，气流速度为150-200标准立方厘米/秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
