[发明专利]利用空气环改善CIS成像质量的方法无效
| 申请号： | 200810043931.4 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740496A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用空气环改善CIS成像质量的方法。包括以下步骤：步骤一、化学气相淀积形成第一层介质层，并进行平坦化；步骤二、形成通孔及金属层；步骤三、重复步骤一和步骤二直到钝化层之前的介质层和金属层完成；步骤四、将像素四周一圈的介质层刻蚀掉，直到光电二极管表面；步骤五、以非一致性化学气相淀积的方式淀积钝化层，形成一个包围像素的空气环。本发明可以有效解决像素之间的“光互扰”的方法，并且提高传感器对光的响应角度，从而提高图像的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 空气 改善 cis 成像 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种利用空气环改善CIS成像质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、化学气相淀积形成第一层介质层，并进行平坦化；步骤二、形成通孔及金属层；步骤三、重复步骤一和步骤二直到钝化层之前的介质层和金属层完成；步骤四、将像素四周一圈的介质层刻蚀掉，直到光电二极管表面；步骤五、以非一致性化学气相淀积的方式淀积钝化层，形成一个包围像素的空气环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
