[发明专利]对准标记及制作方法以及其探测装置无效
| 申请号： | 200810043803.X | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101685275A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了对准标记制作方法，1、在硅片背面刻蚀出对准标记；2、在对准标记上淀积一层氧化膜。本发明还公开了上述方法制作的对准标记，对准标记设置在硅片的背面。另外，本发明还公开了对准标记的探测装置，包括光源，光源发出的光经过半反半透平面镜，再经过第一凸透镜聚焦、并经过载片台对应于硅片背面对准标记处的孔，聚焦到硅片背面的对准标记上，该光线经过对准标记反射，从对准标记上发出的信号光经过半反半透平面镜，再经过第二凸透镜聚焦，最终成像在探测器平面上。通过本发明对准标记的制作方法得到的对准标记位于硅片的背面，不占用硅片正面的使用面积，而本发明对准标记探测方法可以探测上述对准标记。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 制作方法 及其 探测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对准标记制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1、在硅片背面刻蚀出对准标记；2、在对准标记上淀积一层氧化膜。
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