[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法有效
| 申请号： | 200810043424.0 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101593717A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈雄斌;熊涛;陈瑜;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其利用三个刻蚀工艺形成一梯状的氮化硅形貌作为浅沟槽刻蚀的掩膜，使得后续浅沟槽内表面氧化时利用越薄的氮化硅对氧化的屏蔽性能越差，达到顶角圆滑化制备出较光滑的硅和氧化硅界面。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在硅衬底上依次淀积氧化硅和氮化硅；步骤二，涂布光刻胶，进行浅沟槽光刻和显影，形成一光刻胶开口；步骤三，以所述光刻胶为掩膜刻蚀所述氮化硅，去除部分的氮化硅；步骤四，光刻胶的横向裁减，将所述步骤二中的光刻胶的开口扩大10～50％；步骤五，以与步骤三中相同的刻蚀工艺刻蚀步骤三后剩余厚度的氮化硅至所述氧化硅或所述硅衬底表面；步骤六，以氮化硅为掩膜进行刻蚀形成浅沟槽；步骤七，浅沟槽内表面氧化处理形成衬垫氧化层；步骤八，高密度等离子体氧化硅填充浅沟槽；步骤九，平坦化处理后形成浅沟槽隔离结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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