[发明专利]EEPROM器件制备中写入栅极顶角圆化的方法有效
| 申请号： | 200810043326.7 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101577253A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM器件制备中写入栅极顶角圆化的方法，其在多晶硅淀积之后，包括：多晶硅的刻蚀，形成多晶硅顶角；光刻胶横向裁减，去除多晶硅顶角上方的光刻胶；采用等离子刻蚀中的离子轰击使多晶硅顶角圆化；去除光刻胶。本发明通过在光刻胶的横向裁减后，采用等离子轰击使多晶硅顶角圆化，有效改善了器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 器件 制备 写入 栅极 顶角 方法 | ||
【主权项】：
1、EEPROM器件制备中写入栅极顶角圆化的方法，其特征在于，在制备写入栅极的多晶硅淀积之后，包括以下步骤：第一步，多晶硅的刻蚀，形成多晶硅顶角；第二步，光刻胶横向裁减，去除多晶硅顶角上方的光刻胶；第三步，采用等离子刻蚀中的离子轰击使多晶硅顶角圆化；第四步，去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
