[发明专利]保偏光纤耦合器、其制备方法及全光纤电流传感器有效
| 申请号： | 200810043138.4 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101515049A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 黄勇 | 申请（专利权）人： | 上海康阔光通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/28 | 分类号： | G02B6/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种保偏光纤耦合器，该保偏光纤耦合器的耦合区由单模光纤制成，保偏光纤耦合器的输入端至少包含一保偏光纤，与其直接相通的输出端为单模光纤，保偏光纤耦合器的输入端至少包含一单模光纤，与其直接相通的输出端为保偏光纤，输入端和输出端的保偏光纤分别和耦合区中相对应的单模光纤熔接成一体。本发明的保偏光纤耦合器的制备方法，首先用熔接机制备二节型光纤；其次，按设计要求对光纤进行排列和轴向定位；最后，将中间的多根单模光纤熔拉成耦合区。本发明的保偏光纤耦合器中，耦合区均由单模光纤拉制而成，因而器件具有对偏振，温度环境不灵敏的特点，大大提高了器件的稳定性和可靠性。本发明还公开了一种全光纤电流传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 偏光 耦合器 制备 方法 光纤 电流传感器 | ||
【主权项】：
1、一种保偏光纤耦合器，其特征在于：所述保偏光纤耦合器的耦合区由单模光纤制成，所述保偏光纤耦合器的输入端至少包含一保偏光纤，与其直接相通的输出端为单模光纤，所述保偏光纤耦合器的输入端至少包含一单模光纤，与其直接相通的输出端为保偏光纤，所述输入端和输出端的保偏光纤分别和耦合区中相对应的单模光纤熔接成一体。
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