[发明专利]一种电阻转换存储器及其存储操作方法无效
| 申请号： | 200810040934.2 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101359503A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;薛晓勇;张佶;吴雨欣;胡倍源;廖启宏;徐乐 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;H01L27/115;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge2Sb2Te5)或者二元以上(包括二元)的多元金属氧化物(如CuxO1＜x≤2、WOx2≤x≤3、钛的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物等)作为存储电阻，每个存储单元中都包括两个存储电阻，每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接，第二电极与不同的位线耦连，形成同一存储单元中若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。这种存储器不仅大大提高存储集成密度，而且提供更强的写操作信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 转换 存储器 及其 存储 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电阻转换存储器件，采用相变材料或者二元以上(包括二元)的多元金属氧化物作为存储电阻，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元中都包括两个存储电阻和一个选通器件，每个存储电阻的第一电极都与上述的同一个选通器件连接，并通过该选通器件与字线耦连；每个存储电阻的第二电极与不同的位线耦连，形成两个存储电阻共享上述的同一个选通器件的结构。
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