[发明专利]采用高能电磁辐射的快速热处理半导体衬底形成介电层的方法有效
| 申请号： | 200810040368.5 | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101625974A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 高大为;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/283;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种如SONOS单元的半导体器件的制造方法。所述方法包括提供具有表面区域的半导体衬底(例如硅片、绝缘体上硅)，所述表面区域上具有自然氧化物层。所述方法包括采用湿法清洗工艺处理表面区域以去除表面区域上的自然氧化物层。在一个具体的实施例中，所述方法包括使表面区域处于含氧环境中，并对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度。在一个具体的实施例中，所述方法使形成厚度小于10埃的氧化物层。在一个优选的实施例中，所述氧化物层基本上没有针孔和其他缺陷。在一个具体的实施例中，所述氧化物层是栅氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 高能 电磁辐射 快速 热处理 半导体 衬底 形成 介电层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的半导体衬底，所述表面区域具有自然氧化物层；采用湿法清洗工艺处理表面区域以去除表面区域上的自然氧化物层；使表面区域处于含氧环境中；对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射的波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度；使形成厚度小于10埃的氧化物层，所述氧化物层基本上没有针孔和其他缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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