[发明专利]通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺无效

专利信息
申请号: 200810037355.2 申请日: 2008-05-13
公开(公告)号: CN101276832A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 殷录桥;张建华;马可军;李抒智;李春亚 申请(专利权)人: 上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768
代理公司: 上海上大专利事务所 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺,它包括n型金pad、透明电流扩展层、填充体、基板、p型金pad、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触,连接p电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、n型金pad,其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触总称发光有源层,基板上制作有一绝缘层、导电层,发光有源层通过倒装技术倒贴在基板上,填充体填充在需要做金pad正下面的发光有源层被刻蚀掉的孔里,单个尺寸芯片有四个刻蚀孔,连接p电极金属导柱内嵌在两个连接这导电层的刻蚀孔里,透明电流扩展层通过薄膜生长技术制作在n型电极接触的上表面,n型金pad以及辅助电流扩展层通过蒸镀制作在透明电流扩展层上表面。通过氧化锌在微间距内实现芯片的串联,缩小了多芯片的尺寸,而且通过氧化锌的串联,相比于金丝串联,提高了可靠性。
搜索关键词: 通过 氧化锌 透明 电极 串联 间距 发光二极管 芯片 及其 制造 工艺
【主权项】:
1、一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片,包括:n型金pad(14)、透明电流扩展层(2)、基板(4)、p型金pad(1)、p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、发光层(8)、n型电极接触(9),隔离沟(12)、辅助电流扩展层(13)、导电层(5)、n型金pad(14),其中p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、n型电极接触(9)总称发光有源层(15);其特征在于:a)所述基板(4)上制作有一绝缘层(11)、导电层(5);b)所述发光有源层(15)倒贴在基板(4)上;c)有填充体(3)填充在需要做p型金pad(1)和n型金pad(14)正下面的发光有源层(15)被刻蚀掉的孔里,单个尺寸芯片有四个刻蚀孔;d)有两个连接p电极所述金属导柱(10)内嵌在两个连接这导电层(5)的刻蚀孔里;e)所述透明电流扩展层(2)制作在n型电极接触(9)的上表面;f)所述n型金pad(14)以及辅助电流扩展层(13)制作在透明电流扩展层(2)上表面。
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