[发明专利]通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺无效
申请号: | 200810037355.2 | 申请日: | 2008-05-13 |
公开(公告)号: | CN101276832A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 殷录桥;张建华;马可军;李抒智;李春亚 | 申请(专利权)人: | 上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 上海上大专利事务所 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺,它包括n型金pad、透明电流扩展层、填充体、基板、p型金pad、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触,连接p电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、n型金pad,其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触总称发光有源层,基板上制作有一绝缘层、导电层,发光有源层通过倒装技术倒贴在基板上,填充体填充在需要做金pad正下面的发光有源层被刻蚀掉的孔里,单个尺寸芯片有四个刻蚀孔,连接p电极金属导柱内嵌在两个连接这导电层的刻蚀孔里,透明电流扩展层通过薄膜生长技术制作在n型电极接触的上表面,n型金pad以及辅助电流扩展层通过蒸镀制作在透明电流扩展层上表面。通过氧化锌在微间距内实现芯片的串联,缩小了多芯片的尺寸,而且通过氧化锌的串联,相比于金丝串联,提高了可靠性。 | ||
搜索关键词: | 通过 氧化锌 透明 电极 串联 间距 发光二极管 芯片 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片,包括:n型金pad(14)、透明电流扩展层(2)、基板(4)、p型金pad(1)、p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、发光层(8)、n型电极接触(9),隔离沟(12)、辅助电流扩展层(13)、导电层(5)、n型金pad(14),其中p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、n型电极接触(9)总称发光有源层(15);其特征在于:a)所述基板(4)上制作有一绝缘层(11)、导电层(5);b)所述发光有源层(15)倒贴在基板(4)上;c)有填充体(3)填充在需要做p型金pad(1)和n型金pad(14)正下面的发光有源层(15)被刻蚀掉的孔里,单个尺寸芯片有四个刻蚀孔;d)有两个连接p电极所述金属导柱(10)内嵌在两个连接这导电层(5)的刻蚀孔里;e)所述透明电流扩展层(2)制作在n型电极接触(9)的上表面;f)所述n型金pad(14)以及辅助电流扩展层(13)制作在透明电流扩展层(2)上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的