[发明专利]延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺无效
| 申请号： | 200810037353.3 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101276867A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张建华;殷录桥;马可军;李抒智;李春亚 | 申请（专利权）人： | 上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片及其制作工艺，包括：n型金pad、氧化锌透明电极、填充体、基板、粘结层、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触、辅助电流扩展电极结构，其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层；其中发光有源层通过粘结层粘结在基板上，填充体填充在发光有源层被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，氧化锌透明电极通过薄膜生长工艺生长在n型电极接触的表面，n型金pad以及辅助电流扩展电极通过蒸镀工艺制作在氧化锌透明电极上表面。氧化锌透明电极提高了透明度、延伸电极减少了对光的遮挡，从而提高了出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 延伸 结构 氧化锌 透明 电极 大功率 发光二极管 芯片 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种延伸结构的氧化锌透明电极大功率发光二极管芯片，包括：n型金pad(1)、氧化锌透明电极(2)、基板(4)、粘结层(5)、p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、发光层(8)、n型电极接触(9)、辅助电流扩展电极(10)；其中p型电流扩展层(6)、p型电极接触(7)、发光层(8)、n型电极接触(9)是在MOCVD中依次生长完毕，总称发光有源层(11)，其特征在于：a)所述发光有源层(11)通过粘结层(5)粘结在基板(4)上；b)有两个填充体(3)填充在发光有源层(11)被刻蚀掉的一对对角线位置的孔里，而所述辅助电流扩展电极(10)呈长方形位于另一对对角线位置；c)所述氧化锌透明电极(2)生长在n型电极接触(9)的表面；d)所述n型金pad(1)以及辅助电流扩展电极(10)制作在氧化锌透明电极(2)上表面。
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